紫光集团南京再投2600亿建半导体生产线

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紫光集团南京再投2600亿建半导体生产线CSMO创新...01-19 14:28[url=] 大[/url]

新春佳节来临之际，从南京传来喜讯，紫光南京半导体产业基地项目签约。据披露，此次投资达到2600亿元，目前双方已经敲定了产线动工日期。联系到此前在武汉，由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资240亿美元建设的国家存储器基地项目，国内半导体产线正在形成集团化的优势。

与武汉由长江存储牵头的国家存储器基地项目明确以3D NAND制造为核心的项目相比，此次紫光南京半导体产业基地项目建设并没有披露产品的目标和策略，但据专业人士分析，该项目极有能以DRAM产品为主。根据长江存储CEO杨士宁披露：在全球的半导体存储产品中，NAND 和 DRAM的产值占全球存储总额的95%。

有数据统计显示：中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上，但是当中能由国产厂商供应的存储产品则是屈指可数，基本为美光、三星、东芝等少数几个厂商垄断，这个对发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。

存储产业供应的高度集中，尤其是三星在DRAM、NAND上的全球垄断，让很多终端厂商有了顾虑，不少的同行竞争者也是有了其他想法，这就促使具有庞大存储消耗量的中国去发展存储产业。加上3D NAND发展所带来的前所未有的机会，国内存储产业有机会和国外一较高下。根据披露，长江存储的32层 3D NAND产品目前进展顺利，生产的产品指标都非常良好，并将会在2019年实现满载产能。