AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT，低能耗高功效

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AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT，低能耗高功效

对于电子电工行业而言，IGBT芯片几乎是一个不可或缺的重要零部件，它在影响产品能耗的同时，也是产业转型发展和技术革命的关键，如今，IGBT芯片已经被认为是第三次电力电子技术革命中极具代表性的产品。

最近安森美半导体新推出了一款AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT，在行业内备受关注。这些场终止沟槽型IGBT有很多设计亮点，它不仅可以为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能，同时还拥有极强的性能优势，如密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。此外，它还采用了场终止第4代高速IGBT技术，符合AEC-Q101标准，AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT零件100%经过ILM测试，拥有1.6VCE(Sat)低饱和电压（IC=75A时），最高结温175°C，它的输入电流75A，输入电压650V，可以提供更高的可靠性。如今，除了汽车应用外，这款新型产品还被广泛应用在其他方面，包括PFC、直流-直流转换器、xEV车载和非车载充电器以及工业逆变器等。

AFGHL75T65SQDx场终止型沟槽IGBT可以说是Igbt芯片发展道路上重要的一个里程碑，是转型改革中的重要因素之一。