NAND闪存实在太火，三星将追加10万亿韩元投资扩产西安工厂

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NAND闪存实在太火，三星将追加10万亿韩元投资扩产西安工厂

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三星是全球最大的DRAM内存、NAND闪存厂商，而这两个产品这一年来涨价是最凶猛的，三星去年Q3季度因为Note 7召回而亏损了数十亿美元，不过它对三星电子的影响随着NAND/DRAM缺货涨价而被抵消，三星今年Q1季度的营收、净利反而创造了记录，贡献最大的就是存储芯片。2017年NAND闪存还是继续缺货，三星今年会大幅增加资本投资以增加产能，市场传闻三星将扩产西安的晶圆厂产能，总投资高达10万亿韩元，约合89亿美元。

三星投资70亿美元在西安建设的晶圆厂是其重要的NAND基地之一

三星2013年宣布在中国西安市投资70亿美元建设存储芯片工厂，2015年底工厂完工，主要生产NAND闪存，包括最新的3D NAND闪存，今年三星还会从32层堆栈转向更高的64层堆栈，西安工厂也会是主要产地之一，该工厂每月产能高达12万片晶圆，比三星目前在韩国本土的Line 16/17产线产能都要高得多。

即便如此，NAND闪存涨价、缺货的大环境下，西安的产能也满足不了市场需求了，韩国投资者报刊文称三星正在跟当地zf谈判扩产西安工厂，投资高达10万亿韩元，约合89.3亿美元。目前双方的谈判已经接近完成，预计会在9月份动工。

西安的新工厂预计在2019年完成，届时总产能将达到20万片晶圆/月。三星前不久宣布韩国平泽市的NAND晶圆厂将在上半年完工，预计会在6月份开始运转，产能也高达20万片晶圆/月，不过之前的消息显示今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。

值得注意的是，三星大举扩建NAND晶圆厂的同时，中国国产的NAND工厂也在快马加鞭，清华紫光旗下的长江存储科技在武汉的总投资高达240亿美元，一期工程就是针对NAND闪存而来的，长江存储早前表示将在2018年量产32层堆栈的3D NAND闪存，想要了解更多国产NAND闪存进展可以加小超哥（id：9501417）微信咨询。

但是三星今年就要过渡到64层堆栈了，到2018或者2019年时3D NADN闪存有可能堆栈到96层甚至更高，依然要领先国产NAND闪存一两代的技术水平。

不论如何，国产NAND闪存都要进行下去，这里面既有国家意志的作用，也有现实的考虑，中国智能手机、电脑等行业需要的NAND闪存几乎全部依赖国外厂商，别人的技术、产能都是领先的，追赶起来不易，但不去追赶就永远没机会了。