解读SiC Mosfet驱动电路

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解读SiC Mosfet驱动电路

在设计开关和马达驱动电路的时候，很多电力电子专家都会想到Mosfet驱动电路的应用，安森美半导体就提供了很多关于mosfet驱动电路的产品和方案，来帮助我们更好的完成电路设计。和传统的mosfet有所区别，安森美半导体将半导体节能技术和电子技术相结合，可以使mosfet的能耗实现更低的目标，与此同时，设计低能耗高效率的mosfet驱动也是产品应用综合发展的关键因素之一，在提高产品环保性能方面可发挥巨大的作用。

安森美半导体是该技术的先锋，并创建了最低RDSon的SiC MOSFET之一。在封装技术和高能效电源方案方面投入较多，包括先进的基于碳化硅(SiC)的器件如SiC MOSFET、SiC二极管、SiC和氮化镓(GaN)驱动器及集成模块。

最近，安森美半导体推出了两个新系列：1200伏(V)和900V N沟道 SiC MOSFET，并扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。其中，NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下提供极低的导通损耗。此外，它被设计为以低内部门极电阻（Rg =1.81Ω）和低输出电容（Coss = 260pF）快速驱动。相对于市场上的其他器件，NTHL020N120SC1具有一些优势-强大的氧化物性能（VGS额定值为+25V/-15V），无Vth漂移，无体二极管漂移，高开关速度，具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关。

SiC的优势在于材料本身具有比硅高10倍的介电击穿场强，高2倍的电子饱和速率，高3倍的导热率。系统优势是降低功率损耗，提高功率密度、工作频率，耐受的工作温度，降低EMI，最重要的是降低系统尺寸和成本，从而提供最高能效。所以将SiC用于Mosfet驱动电路的设计是安森美的一大亮点，也是未来Mosfet驱动电路发展的一个新趋势。