经典重庆

标题: 中国大陆存储器产业崛起， [打印本页]

作者: woda023 时间: 2016-11-25 08:41
标题: 中国大陆存储器产业崛起，
中国大陆存储器产业崛起，韩国产业如临大敌

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南韩两大半导体厂Samsung与SKHynix共组半导体希望基金，资金规模约2000亿韩元（约55亿元新台币），显示南韩亟欲凸显且扩大其在全球记忆体市场的竞争力与影响力。

不过半导体希望基金规模不大，预期重点不在建置新厂、扩张产能，而是锁定技术研发，特别是DRAM、NANDFlash、行动记忆体、新兴记忆体等产品的研发。

南韩半导体国家队的成军，主要是反映大陆记忆体即将崛起的压力。记忆体行业已成为大陆官方投资的重要方向，企图实现从无到有的局面。大陆记忆体产业奠定在当地需求快速增长的基础，以NAND Flash来说，由于行动装置需求的快速增长及伺服器、资料中心的大量建置，大陆市场NAND Flash消耗量占全球的比重将于2017年达3成以上，2020年将超过4成。

预料大陆记忆体市场当前发展的4大主力，将由长江存储（负责3D NANDFlash、DRAM生产）、武汉新芯（负责NOR Flash、逻辑代工）担纲重任，而福建晋华存储器项目、合肥市存储器项目也将有所发挥。

在国家积体电路大基金的牵线下，2016年7月紫光集团宣布收购武汉新芯50%以上股权，成立长江存储技术公司，此举将可避免重复投资，实现各方优势资源共享；而2016年底长江存储将兴建首座12寸厂，在Spansion技术授权下，最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND晶片，大陆终将顺利挤进NAND Flash领域。

而长江存储技术公司在DRAM领域的布局，则端视未来Mciron再整并完华亚科之后，是否与紫光建立策略联盟，双方将针对DRAM技术及产能进行合作；另外武汉新芯未来将专职NOR Flash和逻辑代工业务，旗下12寸厂月产能约3万片，其中有超过2万片是生产NOR Flash晶片。

福建晋华存储器项目则是由晋华投资370亿元人民币建设存储晶片晶圆厂，并由联电提供技术方案，预计2018年9月形成月产6万片12寸先进制程内存晶圆的生产规模。而合肥市存储器项目，将由合肥市zf出资460亿元人民币，兆基科技提供技术方案，第一步是设计物联网科技所需的低耗电DRAM晶片，最快2017年下半年开始投产。

大陆记忆体是集成电路4大产品类型中自给率最低的部分，预期大陆记忆体市场的进口替代空间庞大，而未来对岸记忆体势力的崛起，势必将改写全球记忆体版图的分布，让目前掌握绝大市占率的韩厂备感威胁。

破局韩国，中国企业可以从敌人身上学到什么？

存储芯片占整个半导体产业产值的22%、晶圆产能和资本支出的近1/3。而我国庞大的存储器需求市场几乎完全依赖进口，已成为我国半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一，布局储存器已成为我国半导体发展大战略中势在必行的一步。

但是我们必须承认一点，韩国目前在存储产业是绝对领先地位。

据TrendForce的数据，2015年四季度三星、SK海力士和美光分别以46.4%、27.9%、18.9%的市场份额位居前三强，共同占有全球DRAM市场份额超过九成的市场份额，而韩国企业三星和SK海力士更以近四分三的市场份额占据绝对优势的市场份额。而早期曾经是DRAM市场一强的中国台湾企业南亚科、华邦、力晶占有的市场份额仅剩下5.6|%的市场份额。

在工艺上韩国企业同样占有优势，三星目前工艺领先，其早已转入20nm工艺，目前其在这一工艺上良率优于其他竞争对手，在总体产能比重中逐渐上升，其计划今年中引入18nm工艺，进一步降低其生产成本。

SK海力士去年8月其号称全球最大的半导体工厂“M14”竣工，成为去年新增产能最多的DRAM企业，去年四季度引入21nm工艺，这将有望进一步提升其在DRAM市场的份额。

美光在去年四季度开始采用20nm工艺生产DRAM不过目前良率不如三星，预计今年会采用16nm工艺生产DRAM。最让美光受鼓舞的是，Intel这个半导体巨头回归DRAM市场（其早年是DRAM市场一强，后来被日本企业击败于是退出了这个市场）选择与美光合资，这将有助于美光增强其与韩国企业的竞争实力。

我们的本土存储产业在国家意志强力推进的大背景下，所处环境与韩国80年代有许多“同”与“不同”，因此从研究韩国模式成在何因出发，探索中国机遇途归何处。

公司层面：

以三星电子为代表的韩国存储器资金推动+“政企合作”模式实现对美日企业赶超韩国内存半导体产业利用“政企合作”模式，通过在资金、技术和人才方面的有效运营实现了对美日先进企业从落后、同时到领先的跨越式发展。“政企合作”模式的突出特点为：在资金上，立法减税，zf托底，zf、财团投入不计成本；在技术上，zf统筹、企业合作，从引进、消化到创新不择手段；在人才上，拼搏进取、储才立业，形成业务增长长期动力。

行业层面：

韩国模式是针对存储器半导体产业特点的一次精准打击存储器半导体产业特点鲜明，韩国模式取得成功正是对其特点的对症下药：

首先，DRAM产业资金投入密集、产品通用性强，韩国模式能够保证资金投入，敢于快速投产形成规模优势；

其次，DRAM产业行业周期性显著，韩国模式利用行业严冬期“逆周期投资”，既能穿越行业周期，又能缩小技术差距；

最后，DRAM产业技术革新快速，产品寿命周期短，不断快速开发新世代产品成为必然，唯有大企业有能力持续投入创新，韩国模式通过zf政策对大企业定向导流资金，参与强者之争。

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作者: woda023 时间: 2016-11-25 11:49
内存芯片，重庆有没有占一席之地？

作者: woda023 时间: 2016-11-25 11:51
内存芯片，重庆有没有占一席之地的机会？

作者: woda023 时间: 2016-12-1 10:08
芯片投资重心大迁移全球迎来中国时代

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新金融总裁圈

11-30 07:39

新金融总裁圈 | 吴侨发张婷

当前中国集成电路的进口已超过石油进口，排在中国所有进口产品的第一位，中国大国的崛起，国家的安全离不开高端的制造业，更离不开电子产品的心脏——集成电路（芯片）。

如何实现我国的芯片国产替代，关系到中国大国的崛起。11月29日，股权投资平台——云投行携手宁波时代全芯，在深交所举办以“全球半导体业步入新常态，迎全芯时代”为主题的宁波时代全芯相变存储器项目专场路演会。

打造中国芯时代，已是大势所趋。就像制造业、家电业一样，芯片研发和生产向新兴市场迁移，我国的芯片国产替代已经势不可挡，而国际半导体大佬能做的就是加快资本注入。

国家战略

在国际上，半导体产业已经走向成熟，国际资本介入半导体产业的脚步明显放缓。与之形成反差的是，中国半导体产业近年来正上演新一轮投资热潮，龙头企业争相宣布启动收购、重组、投资建设新厂等扩张举措。

这还得从中国战略谈起。中国是全球最大的电子产品制造基地，也造就了中国成为全球最大的芯片需求市场，但目前国产芯片的自给率尚不足三成。《中国制造2025》中明确提出，2020年芯片自给率要达到40%，2025年达到50%。

为加快实现这个目标，最近国家成立了中国制造业ld小组，马凯副zl为组长，在规划的制造业中，居于首要发展的是集成电路半导体产业；2014年中国zf设立了1380亿集成电路发展专项基金。

在国家政策和导引下，中国内地各省掀起了一场发展集成电路的热潮，几乎每个省都在制订集成电路发展纲要，许多省份也都在投巨资发展集成电路，而国际芯片制造商也看准时机，伺机在中国大陆抢占市场。

例如，西安市zf与三星投资2000亿，台联电与厦门zf在厦门设工厂，合肥市投资160亿与台湾力晶在合肥设工厂，台积电在南京设工厂，更为重要的是今年国家与武汉zf合作成立了长江存储，并准备斥资240亿美元；虽然仍是发展第三代的3DNAND产品，但这些投资无一不是zf主导，足见国家对存储产业发展的重视。

我们能够看到在中国各省最近发展的半导体产业中，基本上都是以发展代工业务的台湾制造为模板，而中国作为未来在世界上可以与美国抗衡的大国，必须在半导体产业上学习美国，既要发展制造，也要发展核心设计，要真正拥有自主创新的能力及自主的知识产权，如同是拥有我们自己心脏的半导体产业一样，这也是宁波时代全芯以自主创新的第四代存储为中心的发展之路。

宁波时代全芯是中国最早获得IBM核心集成电路技术专利的民营企业，并在此基础上开发了我们自主的知识产权，也是中国唯一的一家不仅拥有自主设计知识产权，而且掌握制程工艺的半导体企业，宁波时代全芯的发展模式将是中国未来集成电路半导体行业发展的方向。

样本力量

PCM作为全球第四代存储芯片，将逐渐成为世界存储市场的主流，宁波时代全芯的PCM技术研发肇始于2009年AMT与IBM的共同开发，经过六多年投入，宁波时代全芯已完成PCM的研发与量产的准备。

目前宁波时代全芯是世界上第三家掌握PCM技术的公司，其余两家为三星和美光。2015年12月，宁波时代全芯PCM项目正式通过国家******高新技术司认定为国家重点支持的集成电路产业企业，并由此获得国家开发银行1.69亿元人民币的股权投资。

作为国家政策性银行的国开行资本入股宁波时代全芯，不仅体现了国家对宁波时代全芯的认可，而且极大地提升了宁波时代全芯的市场地位和融资发展能力，加速了宁波时代全芯量产和上市的步伐。

2016年9月，宁波时代全芯在产业布局上做出重大调整，由于与江苏省达成发展PCM产业的愿望，并主要投资在淮安建设PCM工厂，使得宁波AMT产业布局提前完成。

集成电路的生产工厂投资巨大，设备昂贵，没有国家和zf的支持发展异常艰难，宁波时代全芯在经过一年多的发展和融资，借助国家大力发展集成电路的大好时机，终于取得了江苏省地方zf的支持。

江苏省在国内集成电路的发展上处于领先地位，如果加上存储将使得江苏省在产业链上更加完整，在此背景下，江苏省希望宁波时代全芯在淮安落户，这与宁波时代全芯希望有zf的大力支持相契合。

在此条件下，9月14日下午，宁波时代全芯与淮安市zf签署了战略合作协议和具体实施的合作协议，签约过程在淮安市****惠建林、副****唐道伦的主持下进行，双方正式开始合作。根据双方规划：

项目总投资130亿元人民币，一期投资30亿元人民币，zf以引导基金并以合资企业为主体搭建融资平台解决项目资金问题，zf占股49%，AMT出资3亿元人民币，以及知识产权占股51%。项目占地270亩，全部达产后将达到年产50万片PCM存储芯片。项目在2017年底完成设备安装，2018年第二季度开始试生产。

宁波时代全芯科技有限公司董事长张龙告诉新金融总裁圈：“相变存储器被公认为第四代存储器中最为成熟的存储器，目前世界半导体巨头英特尔、IBM和三星都已经开始全面发展PCM存储器。”

张龙表示，本项目以新相变存储器专利技术为基础，力求打造全球第一个第四代存储器的生产基地，成为国内首家、世界第三家掌握第四代存储器PCM技术的公司，以相变存储器新技术为核心，打破存储产品依靠进口之使命。

作者: SHISHIQS 时间: 2016-12-1 11:12
国家与武汉zf合作成立了长江存储，并准备斥资240亿美元

作者: woda023 时间: 2016-12-1 12:28
西安市zf与三星投资2000亿，台联电与厦门zf在厦门设工厂，合肥市投资160亿与台湾力晶在合肥设工厂，台积电在南京设工厂，更为重要的是今年国家与武汉zf合作成立了长江存储，并准备斥资240亿美元；现在再加上宁波。
个人以为重庆不能输给合肥吧

作者: woda023 时间: 2016-12-2 22:11
中国存储器产业呈现崛起之势三路进击格局渐成

2016-11-25

　　慧聪安防网讯如今,三星、东芝、美光、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元,而我国每年进口的存储芯片高达600亿美元。尽管目前中国存储芯片产业仍然在很大程度上依赖进口,但同时也可以看到,我国存储器市场具有很大的发展空间。

　　中国存储器产业呈现崛起之势三路进击格局渐成为提升我国存储器产业的竞争力,近期行业动态频频,大陆存储器有了崛起之势。近日,合肥发展存储器计划频有突破,合肥长鑫12寸晶圆厂生产线曝光,总投资额约人民币500亿元,在合肥打造月产能12.5万片晶圆厂,年产能约150万片。

　　此外,北京兆易创新为合肥操刀的存储器计划也已初具轮廓。北京兆易创新透过买下武岳峰资本旗下SDRAM设计公司矽成(ISSI),全面掌握NORFlash、NANDFlash及利基型DRAM技术,为自身的存储器产业打下坚实的技术基础。

　　随着大陆各方人马的涌动,台湾地区人才也是前仆后继地加入到大陆团队当中。目前,长江存储及旗下武汉新芯阵营已有不少台系IC设计公司高层加入,包括NORFlash设计公司常忆前总经理王筱瑜、前副总张有志,以及宜扬前总经理周锦颖,至于设计公司钰创亦有前员工加入,多方人马纷汇聚在武汉新芯。

　　另外,华亚科前资深副总刘大维传已加入合肥的存储器计划,近期积极挖角台厂相关人才,并开出3倍薪水条件与长江存储阵营抢人才。由于过去台系DRAM厂处于亏损状况,几乎没有奖金发放,大陆开出3倍薪水对于台系DRAM厂员工可说是相当诱人。

　　而随着行业内大动作的频繁出现,中国发展存储器产业形成了三路进击的趋势,除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成,第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也开始蠢蠢欲动。面对目前中国大陆存储器产业的发展态势,韩国厂商开始有了危机感,并有所动作。

　　据悉,南韩两大半导体厂Samsung与SKHynix共同组建了半导体希望基金,资金规模约2000亿韩元。这一举动显示了南韩亟欲凸显且扩大其在全球记忆体市场的竞争力与影响力。

　　不过,目前该半导体希望基金规模并不大,预期重点不在建置新厂、扩张产能,而是锁定技术研发,特别是DRAM、NANDFlash、行动记忆体、新兴记忆体等产品的研发。业内人士分析指出,大陆记忆体产业奠定在当地需求快速增长的基础,以NANDFlash来说,由于行动装置需求的快速增长及伺服器、资料中心的大量建置,大陆市场NANDFlash消耗量占全球的比重将于2017年达3成以上,2020年将超过4成。

　　而南韩半导体国家队的成军,主要是反映出的是对大陆记忆体即将崛起的压力。记忆体行业已成为大陆投资的重要方向,企图实现从无到有的局面。

作者: woda023 时间: 2016-12-2 22:14
强势崛起大陆四大存储器大厂力战韩国双雄2016-11-25 05:37 中关村在线
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韩国两大半导体厂Samsung与SKHynix共组半导体希望基金，资金规模约2000亿韩元（约55亿元新台币），显示南韩亟欲凸显且扩大其在全球存储器市场的竞争力与影响力。

不过半导体希望基金规模不大，预期重点不在建置新厂、扩张产能，而是锁定技术研发，特别是DRAM、NANDFlash、行动存储器、新兴存储器等产品的研发。

韩国半导体国家队的成军，主要是反映中国存储器即将崛起的压力。存储器行业已成为中国官方投资的重要方向，企图实现从无到有的局面。大陆存储器产业奠定在当地需求快速增长的基础，以NANDFlash来说，由于行动装置需求的快速增长及伺服器、资料中心的大量建置，大陆市场NANDFlash消耗量占全球的比重将于2017年达3成以上，2020年将超过4成。

预料大陆存储器市场当前发展的4大主力，将由长江存储（负责3DNANDFlash、DRAM生产）、武汉新芯（负责NORFlash、逻辑代工）担纲重任，而福建晋华存储器项目、合肥市存储器项目也将有所发挥。

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在国家积体电路大基金的牵线下，2016年7月紫光集团宣布收购武汉新芯50%以上股权，成立长江存储技术公司，此举将可避免重复投资，实现各方优势资源共享；而2016年底长江存储将兴建首座12寸厂，在Spansion技术授权下，最快2017年底生产自制32层堆叠3DNAND晶片，大陆终将顺利挤进NANDFlash领域。

而长江存储技术公司在DRAM领域的布局，则端视未来Mciron再整并完华亚科之后，是否与紫光建立策略联盟，双方将针对DRAM技术及产能进行合作；另外武汉新芯未来将专职NORFlash和逻辑代工业务，旗下12寸厂月产能约3万片，其中有超过2万片是生产NORFlash晶片。

大陆存储器是集成电路4大产品类型中自给率最低的部分，预期大陆存储器市场的进口替代空间庞大，而未来中国存储器势力的崛起，势必将改写全球存储器版图的分布，让目前掌握绝大市占率的韩厂备感威胁。

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