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重庆理工大学在纳米时栅研究领域取得重要进展

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发表于 2017-9-22 12:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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    新华网重庆教育频道9月21日电 日前,国际重要学术刊物《IEEE工业电子汇刊》(IEEE Transactions on Industrial Electronics)发表了重庆理工大学机械检测技术与装备教育部工程研究中心、机械工程学院刘小康和彭东林教授课题组的研究论文“Features of Capacitive Displacement Sensing That Provide High-Accuracy Measurements with Reduced Manufacturing Precision”。

    论文首次揭示了纳米时栅传感器具有“积分滤波效应”、“电场匀化效应”和“多感应电极平均效应”等三种误差传递特性,从原理上解释了这三种效应如何有效抑制了传感器制造误差对测量精度的影响,阐明了纳米时栅相对于纳米光栅等其它测量技术的优势。

纳米时栅团队成员实验工作图。新华网发(重庆理工大学供图)

纳米时栅实验平台及实验结果。新华网发(重庆理工大学供图)

    该论文还取得了有关国际同行专家的认同,他们认为这不仅是研究领域里一个新的突破,且对同行在电容传感器设计方面也有很大的帮助。

    据了解,论文合作完成单位的合作单位分别是西安交通大学和合肥工业大学。此项研究工作得到了国家自然科学基金重点项目、教育部新世纪优秀人才支持计划和重庆市高校创新团队等项目的支持。

中国创新创业大赛现场。新华网发(重庆理工大学供图)

    据了解,该团队还积极践行国家创新驱动发展战略,促进科研成果的转化,开发了多种面向航空航天、机器人领域的纳米时栅传感器产品。今年8月,重庆理工大学该团队的高忠华高工参加第六届中国创新创业大赛(重庆赛区)暨第三届重庆市“高新杯”众创大赛,入围全国总决赛。(朱悦琳)


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